SI7911DN-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
Varenummer
SI7911DN-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® 1212-8 Dual
Effekt - Maks
1.3W
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® 1212-8 Dual
FET type
2 P-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
51 mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 6041 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI7911DN-T1-E3
SI7911DN-T1-E3 Elektroniske komponenter
SI7911DN-T1-E3 Salg
SI7911DN-T1-E3 Leverandør
SI7911DN-T1-E3 Distributør
SI7911DN-T1-E3 Datatabel
SI7911DN-T1-E3 Fotos
SI7911DN-T1-E3 Pris
SI7911DN-T1-E3 Tilbud
SI7911DN-T1-E3 Laveste pris
SI7911DN-T1-E3 Søg
SI7911DN-T1-E3 Indkøb
SI7911DN-T1-E3 Chip