SI7956DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
Varenummer
SI7956DP-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Digi-Reel®
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® SO-8 Dual
Effekt - Maks
1.4W
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® SO-8 Dual
FET type
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Dræn til kildespænding (Vdss)
150V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 34973 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI7956DP-T1-GE3
SI7956DP-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SI7956DP-T1-GE3 Salg
SI7956DP-T1-GE3 Leverandør
SI7956DP-T1-GE3 Distributør
SI7956DP-T1-GE3 Datatabel
SI7956DP-T1-GE3 Fotos
SI7956DP-T1-GE3 Pris
SI7956DP-T1-GE3 Tilbud
SI7956DP-T1-GE3 Laveste pris
SI7956DP-T1-GE3 Søg
SI7956DP-T1-GE3 Indkøb
SI7956DP-T1-GE3 Chip