SI7960DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Varenummer
SI7960DP-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Digi-Reel®
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® SO-8 Dual
Effekt - Maks
1.4W
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® SO-8 Dual
FET type
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Dræn til kildespænding (Vdss)
60V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 20057 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI7960DP-T1-E3
SI7960DP-T1-E3 Elektroniske komponenter
SI7960DP-T1-E3 Salg
SI7960DP-T1-E3 Leverandør
SI7960DP-T1-E3 Distributør
SI7960DP-T1-E3 Datatabel
SI7960DP-T1-E3 Fotos
SI7960DP-T1-E3 Pris
SI7960DP-T1-E3 Tilbud
SI7960DP-T1-E3 Laveste pris
SI7960DP-T1-E3 Søg
SI7960DP-T1-E3 Indkøb
SI7960DP-T1-E3 Chip