SI8808DB-T2-E1
MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
Varenummer
SI8808DB-T2-E1
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
4-UFBGA
Leverandørenhedspakke
4-Microfoot
Effekttab (maks.)
500mW (Ta)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 8V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 15V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 53671 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI8808DB-T2-E1
SI8808DB-T2-E1 Elektroniske komponenter
SI8808DB-T2-E1 Salg
SI8808DB-T2-E1 Leverandør
SI8808DB-T2-E1 Distributør
SI8808DB-T2-E1 Datatabel
SI8808DB-T2-E1 Fotos
SI8808DB-T2-E1 Pris
SI8808DB-T2-E1 Tilbud
SI8808DB-T2-E1 Laveste pris
SI8808DB-T2-E1 Søg
SI8808DB-T2-E1 Indkøb
SI8808DB-T2-E1 Chip