Køb Vishay Siliconix SI9926BDY-T1-E3 MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.

Se mere info DataSheets

SI9926BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

Varenummer

SI9926BDY-T1-E3

Producent/Mærke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Del status

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke/etui

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Effekt - Maks

1.14W

Leverandørenhedspakke

8-SO

FET type

2 N-Channel (Dual)

FET-funktion

Logic Level Gate

Dræn til kildespænding (Vdss)

20V

Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

Anmod om tilbud

Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.

På lager 49075 PCS

Kontakt information

Relaterede produkter

SI9910DJ-E3

IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP

Vishay Siliconix

SI9910DJ-E3

IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP

Vishay Siliconix

SI9910DJ-E3

IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP

Vishay Siliconix

SI9910DY-E3