SIA427DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
Varenummer
SIA427DJ-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® SC-70-6
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® SC-70-6 Single
Effekttab (maks.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
FET type
P-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
8V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2300pF @ 4V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Vgs (maks.)
±5V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 54554 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIA427DJ-T1-GE3
SIA427DJ-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SIA427DJ-T1-GE3 Salg
SIA427DJ-T1-GE3 Leverandør
SIA427DJ-T1-GE3 Distributør
SIA427DJ-T1-GE3 Datatabel
SIA427DJ-T1-GE3 Fotos
SIA427DJ-T1-GE3 Pris
SIA427DJ-T1-GE3 Tilbud
SIA427DJ-T1-GE3 Laveste pris
SIA427DJ-T1-GE3 Søg
SIA427DJ-T1-GE3 Indkøb
SIA427DJ-T1-GE3 Chip