Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
SIDR622DP-T1-GE3

SIDR622DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 150V
Varenummer
SIDR622DP-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® SO-8
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® SO-8DC
Effekttab (maks.)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
150V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
64.6A (Ta), 56.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1516pF @ 75V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 19869 PCS
Kontakt information
Nøgleord afSIDR622DP-T1-GE3
SIDR622DP-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SIDR622DP-T1-GE3 Salg
SIDR622DP-T1-GE3 Leverandør
SIDR622DP-T1-GE3 Distributør
SIDR622DP-T1-GE3 Datatabel
SIDR622DP-T1-GE3 Fotos
SIDR622DP-T1-GE3 Pris
SIDR622DP-T1-GE3 Tilbud
SIDR622DP-T1-GE3 Laveste pris
SIDR622DP-T1-GE3 Søg
SIDR622DP-T1-GE3 Indkøb
SIDR622DP-T1-GE3 Chip