Køb Vishay Siliconix SIDR622DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 150V

Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.

DataSheets

SIDR622DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 150V

Varenummer

SIDR622DP-T1-GE3

Producent/Mærke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Del status

Active

Emballage

Digi-Reel®

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke/etui

PowerPAK® SO-8

Leverandørenhedspakke

PowerPAK® SO-8DC

Effekttab (maks.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

FET type

N-Channel

FET-funktion

Dræn til kildespænding (Vdss)

150V

Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C

64.6A (Ta), 56.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.7 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1516pF @ 75V

Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Vgs (maks.)

±20V

Anmod om tilbud

Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.

På lager 19869 PCS

Kontakt information

Relaterede produkter

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR390DP-T1-GE3