Køb Vishay Siliconix SIE836DF-T1-E3 MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.

Se mere info DataSheets

SIE836DF-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

Varenummer

SIE836DF-T1-E3

Producent/Mærke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Del status

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke/etui

10-PolarPAK® (SH)

Leverandørenhedspakke

10-PolarPAK® (SH)

Effekttab (maks.)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

FET type

N-Channel

FET-funktion

Dræn til kildespænding (Vdss)

200V

Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C

18.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 100V

Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (maks.)

±30V

Anmod om tilbud

Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.

På lager 39607 PCS

Kontakt information

Relaterede produkter