Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
SIE836DF-T1-E3

SIE836DF-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
Varenummer
SIE836DF-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
10-PolarPAK® (SH)
Leverandørenhedspakke
10-PolarPAK® (SH)
Effekttab (maks.)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
200V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 100V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 39607 PCS
Kontakt information
Nøgleord afSIE836DF-T1-E3
SIE836DF-T1-E3 Elektroniske komponenter
SIE836DF-T1-E3 Salg
SIE836DF-T1-E3 Leverandør
SIE836DF-T1-E3 Distributør
SIE836DF-T1-E3 Datatabel
SIE836DF-T1-E3 Fotos
SIE836DF-T1-E3 Pris
SIE836DF-T1-E3 Tilbud
SIE836DF-T1-E3 Laveste pris
SIE836DF-T1-E3 Søg
SIE836DF-T1-E3 Indkøb
SIE836DF-T1-E3 Chip