Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
SIE854DF-T1-GE3

SIE854DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
Varenummer
SIE854DF-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
10-PolarPAK® (L)
Leverandørenhedspakke
10-PolarPAK® (L)
Effekttab (maks.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.2 mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3100pF @ 50V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 41075 PCS
Kontakt information
Nøgleord afSIE854DF-T1-GE3
SIE854DF-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SIE854DF-T1-GE3 Salg
SIE854DF-T1-GE3 Leverandør
SIE854DF-T1-GE3 Distributør
SIE854DF-T1-GE3 Datatabel
SIE854DF-T1-GE3 Fotos
SIE854DF-T1-GE3 Pris
SIE854DF-T1-GE3 Tilbud
SIE854DF-T1-GE3 Laveste pris
SIE854DF-T1-GE3 Søg
SIE854DF-T1-GE3 Indkøb
SIE854DF-T1-GE3 Chip