SIHP180N60E-GE3
MOSFET N-CH TO-220AB
Varenummer
SIHP180N60E-GE3
Producent/Mærke
Serie
E
Del status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3
Leverandørenhedspakke
TO-220AB
Effekttab (maks.)
156W (Tc)
FET type
N-Channel
Dræn til kildespænding (Vdss)
600V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1085pF @ 100V
Vgs (maks.)
±30V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 40707 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIHP180N60E-GE3
SIHP180N60E-GE3 Elektroniske komponenter
SIHP180N60E-GE3 Salg
SIHP180N60E-GE3 Leverandør
SIHP180N60E-GE3 Distributør
SIHP180N60E-GE3 Datatabel
SIHP180N60E-GE3 Fotos
SIHP180N60E-GE3 Pris
SIHP180N60E-GE3 Tilbud
SIHP180N60E-GE3 Laveste pris
SIHP180N60E-GE3 Søg
SIHP180N60E-GE3 Indkøb
SIHP180N60E-GE3 Chip