SIHP18N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
Varenummer
SIHP18N50C-E3
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3
Leverandørenhedspakke
TO-220AB
Effekttab (maks.)
223W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
500V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
76nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2942pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 9937 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIHP18N50C-E3
SIHP18N50C-E3 Elektroniske komponenter
SIHP18N50C-E3 Salg
SIHP18N50C-E3 Leverandør
SIHP18N50C-E3 Distributør
SIHP18N50C-E3 Datatabel
SIHP18N50C-E3 Fotos
SIHP18N50C-E3 Pris
SIHP18N50C-E3 Tilbud
SIHP18N50C-E3 Laveste pris
SIHP18N50C-E3 Søg
SIHP18N50C-E3 Indkøb
SIHP18N50C-E3 Chip