Køb Vishay Siliconix SIRA34DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.

DataSheets

SIRA34DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Varenummer

SIRA34DP-T1-GE3

Producent/Mærke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Del status

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke/etui

PowerPAK® SO-8

Leverandørenhedspakke

PowerPAK® SO-8

Effekttab (maks.)

3.3W (Ta), 31.25W (Tc)

FET type

N-Channel

FET-funktion

Dræn til kildespænding (Vdss)

30V

Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C

40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 15V

Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (maks.)

+20V, -16V

Anmod om tilbud

Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.

På lager 34296 PCS

Kontakt information

Relaterede produkter

SIRA00DP-T1-GE3