SIS410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Varenummer
SIS410DN-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® 1212-8
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® 1212-8
Effekttab (maks.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 10V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 10353 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIS410DN-T1-GE3
SIS410DN-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SIS410DN-T1-GE3 Salg
SIS410DN-T1-GE3 Leverandør
SIS410DN-T1-GE3 Distributør
SIS410DN-T1-GE3 Datatabel
SIS410DN-T1-GE3 Fotos
SIS410DN-T1-GE3 Pris
SIS410DN-T1-GE3 Tilbud
SIS410DN-T1-GE3 Laveste pris
SIS410DN-T1-GE3 Søg
SIS410DN-T1-GE3 Indkøb
SIS410DN-T1-GE3 Chip