SIS412DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
Varenummer
SIS412DN-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® 1212-8
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® 1212-8
Effekttab (maks.)
3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
435pF @ 15V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 34667 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIS412DN-T1-GE3
SIS412DN-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SIS412DN-T1-GE3 Salg
SIS412DN-T1-GE3 Leverandør
SIS412DN-T1-GE3 Distributør
SIS412DN-T1-GE3 Datatabel
SIS412DN-T1-GE3 Fotos
SIS412DN-T1-GE3 Pris
SIS412DN-T1-GE3 Tilbud
SIS412DN-T1-GE3 Laveste pris
SIS412DN-T1-GE3 Søg
SIS412DN-T1-GE3 Indkøb
SIS412DN-T1-GE3 Chip