SIS414DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK
Varenummer
SIS414DN-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® 1212-8
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® 1212-8
Effekttab (maks.)
3.4W (Ta), 31W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
795pF @ 15V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±12V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 46087 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIS414DN-T1-GE3
SIS414DN-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SIS414DN-T1-GE3 Salg
SIS414DN-T1-GE3 Leverandør
SIS414DN-T1-GE3 Distributør
SIS414DN-T1-GE3 Datatabel
SIS414DN-T1-GE3 Fotos
SIS414DN-T1-GE3 Pris
SIS414DN-T1-GE3 Tilbud
SIS414DN-T1-GE3 Laveste pris
SIS414DN-T1-GE3 Søg
SIS414DN-T1-GE3 Indkøb
SIS414DN-T1-GE3 Chip