SIS435DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
Varenummer
SIS435DNT-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® 1212-8
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® 1212-8
Effekttab (maks.)
3.7W (Ta), 39W (Tc)
FET type
P-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.4 mOhm @ 13A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 8V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5700pF @ 10V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 52546 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIS435DNT-T1-GE3
SIS435DNT-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SIS435DNT-T1-GE3 Salg
SIS435DNT-T1-GE3 Leverandør
SIS435DNT-T1-GE3 Distributør
SIS435DNT-T1-GE3 Datatabel
SIS435DNT-T1-GE3 Fotos
SIS435DNT-T1-GE3 Pris
SIS435DNT-T1-GE3 Tilbud
SIS435DNT-T1-GE3 Laveste pris
SIS435DNT-T1-GE3 Søg
SIS435DNT-T1-GE3 Indkøb
SIS435DNT-T1-GE3 Chip