SQ2310ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
Varenummer
SQ2310ES-T1_GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverandørenhedspakke
TO-236
Effekttab (maks.)
2W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 4.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
485pF @ 10V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 43853 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSQ2310ES-T1_GE3
SQ2310ES-T1_GE3 Elektroniske komponenter
SQ2310ES-T1_GE3 Salg
SQ2310ES-T1_GE3 Leverandør
SQ2310ES-T1_GE3 Distributør
SQ2310ES-T1_GE3 Datatabel
SQ2310ES-T1_GE3 Fotos
SQ2310ES-T1_GE3 Pris
SQ2310ES-T1_GE3 Tilbud
SQ2310ES-T1_GE3 Laveste pris
SQ2310ES-T1_GE3 Søg
SQ2310ES-T1_GE3 Indkøb
SQ2310ES-T1_GE3 Chip