SQJ418EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO
Varenummer
SQJ418EP-T1_GE3
Producent/Mærke
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® SO-8
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® SO-8
Effekttab (maks.)
68W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 21388 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSQJ418EP-T1_GE3
SQJ418EP-T1_GE3 Elektroniske komponenter
SQJ418EP-T1_GE3 Salg
SQJ418EP-T1_GE3 Leverandør
SQJ418EP-T1_GE3 Distributør
SQJ418EP-T1_GE3 Datatabel
SQJ418EP-T1_GE3 Fotos
SQJ418EP-T1_GE3 Pris
SQJ418EP-T1_GE3 Tilbud
SQJ418EP-T1_GE3 Laveste pris
SQJ418EP-T1_GE3 Søg
SQJ418EP-T1_GE3 Indkøb
SQJ418EP-T1_GE3 Chip