SQJB60EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Varenummer
SQJB60EP-T1_GE3
Producent/Mærke
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® SO-8 Dual
Effekt - Maks
48W
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® SO-8 Dual
FET type
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Standard
Dræn til kildespænding (Vdss)
60V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 25V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 44760 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSQJB60EP-T1_GE3
SQJB60EP-T1_GE3 Elektroniske komponenter
SQJB60EP-T1_GE3 Salg
SQJB60EP-T1_GE3 Leverandør
SQJB60EP-T1_GE3 Distributør
SQJB60EP-T1_GE3 Datatabel
SQJB60EP-T1_GE3 Fotos
SQJB60EP-T1_GE3 Pris
SQJB60EP-T1_GE3 Tilbud
SQJB60EP-T1_GE3 Laveste pris
SQJB60EP-T1_GE3 Søg
SQJB60EP-T1_GE3 Indkøb
SQJB60EP-T1_GE3 Chip