Billedet kan være en repræsentation. Se specifikationer for produktdetaljer.
AGM609AP
N-channel 60V 40A 6.5mΩ
Varenummer
AGM609AP
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Producent/Mærke
AGM-Semi (core control source)
Indkapsling
DFN3x3
Pakning
taping
Antal pakker
5000
Beskrivelse
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 40A Power (Pd): 25W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.5mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 16nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.47nF@25V, Vds=60V Id=40A Rds=6.5mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3encapsulation;
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.