Billedet kan være en repræsentation. Se specifikationer for produktdetaljer.
FQB5N90TM
N-Channel 900V 5.4A Power MOSFET, N-Channel, QFET, 900 V, 5.4 A, 2.3 ?
Varenummer
FQB5N90TM
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Producent/Mærke
onsemi (Ansemi)
Indkapsling
TO-263-3
Pakning
taping
Antal pakker
800
Beskrivelse
This N-channel enhancement mode power MOSFET is produced using a planar stripe and DMOS proprietary process. This advanced MOSFET technology is designed for low on-resistance, excellent switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for use in switch-mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.