The H11G1M and H11G2M are opto-Darlington optocouplers. These devices feature a GaAs infrared emitting diode coupled to a silicon Darlington junction phototransistor with an integrated base-emitter resistor for optimized high temperature characteristics.
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.