The HMHA281 and HMHA2801 series of devices include a GaAs infrared emitting diode driving a silicon phototransistor within a compact 4-pin micro-flat encapsulation. Lead spacing is 1.27 mm.
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.