onsemi (Ansemi)
Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
Se specifikationer for produktdetaljer.
NXH100B120H3Q0STG
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
Varenummer
NXH100B120H3Q0STG
Kategori
Power IC > Power Module
Producent/Mærke
onsemi (Ansemi)
Indkapsling
-
Pakning
tray
Antal pakker
24
Beskrivelse
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 80099 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Nøgleord afNXH100B120H3Q0STG
NXH100B120H3Q0STG Elektroniske komponenter
NXH100B120H3Q0STG Salg
NXH100B120H3Q0STG Leverandør
NXH100B120H3Q0STG Distributør
NXH100B120H3Q0STG Datatabel
NXH100B120H3Q0STG Fotos
NXH100B120H3Q0STG Pris
NXH100B120H3Q0STG Tilbud
NXH100B120H3Q0STG Laveste pris
NXH100B120H3Q0STG Søg
NXH100B120H3Q0STG Indkøb
NXH100B120H3Q0STG Chip