CDBGBSC20650-G
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Varenummer
CDBGBSC20650-G
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
-
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-247-3
Leverandørenhedspakke
TO-247
Diode type
Silicon Carbide Schottky
Spænding - Fremad (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 10A
Strøm - Omvendt lækage @ Vr
100µA @ 650V
Diode konfiguration
1 Pair Common Cathode
Spænding - DC Reverse (Vr) (Max)
650V
Strøm - gennemsnitlig rettet (Io) (pr. diode)
33A (DC)
Fart
No Recovery Time > 500mA (Io)
Omvendt gendannelsestid (trr)
0ns
Driftstemperatur - Junction
-55°C ~ 175°C
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 22036 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afCDBGBSC20650-G
CDBGBSC20650-G Elektroniske komponenter
CDBGBSC20650-G Salg
CDBGBSC20650-G Leverandør
CDBGBSC20650-G Distributør
CDBGBSC20650-G Datatabel
CDBGBSC20650-G Fotos
CDBGBSC20650-G Pris
CDBGBSC20650-G Tilbud
CDBGBSC20650-G Laveste pris
CDBGBSC20650-G Søg
CDBGBSC20650-G Indkøb
CDBGBSC20650-G Chip