C2M0080120D
MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
Varenummer
C2M0080120D
Producent/Mærke
Serie
C2M™
Del status
Active
Emballage
Bulk
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-247-3
Leverandørenhedspakke
TO-247-3
Effekttab (maks.)
192W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1200V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 1000V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Vgs (maks.)
+25V, -10V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 25321 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afC2M0080120D
C2M0080120D Elektroniske komponenter
C2M0080120D Salg
C2M0080120D Leverandør
C2M0080120D Distributør
C2M0080120D Datatabel
C2M0080120D Fotos
C2M0080120D Pris
C2M0080120D Tilbud
C2M0080120D Laveste pris
C2M0080120D Søg
C2M0080120D Indkøb
C2M0080120D Chip