C2M0280120D
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
Varenummer
C2M0280120D
Producent/Mærke
Serie
Z-FET™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-247-3
Leverandørenhedspakke
TO-247-3
Effekttab (maks.)
62.5W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1200V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
370 mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1.25mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20.4nC @ 20V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
259pF @ 1000V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Vgs (maks.)
+25V, -10V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 52590 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afC2M0280120D
C2M0280120D Elektroniske komponenter
C2M0280120D Salg
C2M0280120D Leverandør
C2M0280120D Distributør
C2M0280120D Datatabel
C2M0280120D Fotos
C2M0280120D Pris
C2M0280120D Tilbud
C2M0280120D Laveste pris
C2M0280120D Søg
C2M0280120D Indkøb
C2M0280120D Chip