Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
EPC8009

EPC8009

TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Varenummer
EPC8009
Producent/Mærke
Serie
eGaN®
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
Die
Leverandørenhedspakke
Die
Effekttab (maks.)
-
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
65V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.45nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
52pF @ 32.5V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Vgs (maks.)
+6V, -4V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 24038 PCS
Kontakt information
Nøgleord afEPC8009
EPC8009 Elektroniske komponenter
EPC8009 Salg
EPC8009 Leverandør
EPC8009 Distributør
EPC8009 Datatabel
EPC8009 Fotos
EPC8009 Pris
EPC8009 Tilbud
EPC8009 Laveste pris
EPC8009 Søg
EPC8009 Indkøb
EPC8009 Chip