BSZ018NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
Varenummer
BSZ018NE2LSIATMA1
Producent/Mærke
Serie
OptiMOS™
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
8-PowerTDFN
Leverandørenhedspakke
PG-TSDSON-8-FL
Effekttab (maks.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
25V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 12V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 13064 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afBSZ018NE2LSIATMA1
BSZ018NE2LSIATMA1 Elektroniske komponenter
BSZ018NE2LSIATMA1 Salg
BSZ018NE2LSIATMA1 Leverandør
BSZ018NE2LSIATMA1 Distributør
BSZ018NE2LSIATMA1 Datatabel
BSZ018NE2LSIATMA1 Fotos
BSZ018NE2LSIATMA1 Pris
BSZ018NE2LSIATMA1 Tilbud
BSZ018NE2LSIATMA1 Laveste pris
BSZ018NE2LSIATMA1 Søg
BSZ018NE2LSIATMA1 Indkøb
BSZ018NE2LSIATMA1 Chip