IPB50N10S3L16ATMA1
MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
Varenummer
IPB50N10S3L16ATMA1
Producent/Mærke
Serie
OptiMOS™
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverandørenhedspakke
PG-TO263-3-2
Effekttab (maks.)
100W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 60µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4180pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 44619 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIPB50N10S3L16ATMA1
IPB50N10S3L16ATMA1 Elektroniske komponenter
IPB50N10S3L16ATMA1 Salg
IPB50N10S3L16ATMA1 Leverandør
IPB50N10S3L16ATMA1 Distributør
IPB50N10S3L16ATMA1 Datatabel
IPB50N10S3L16ATMA1 Fotos
IPB50N10S3L16ATMA1 Pris
IPB50N10S3L16ATMA1 Tilbud
IPB50N10S3L16ATMA1 Laveste pris
IPB50N10S3L16ATMA1 Søg
IPB50N10S3L16ATMA1 Indkøb
IPB50N10S3L16ATMA1 Chip