IPB80N03S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Varenummer
IPB80N03S4L02ATMA1
Producent/Mærke
Serie
OptiMOS™
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverandørenhedspakke
PG-TO263-3-2
Effekttab (maks.)
136W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9750pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±16V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 19271 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIPB80N03S4L02ATMA1
IPB80N03S4L02ATMA1 Elektroniske komponenter
IPB80N03S4L02ATMA1 Salg
IPB80N03S4L02ATMA1 Leverandør
IPB80N03S4L02ATMA1 Distributør
IPB80N03S4L02ATMA1 Datatabel
IPB80N03S4L02ATMA1 Fotos
IPB80N03S4L02ATMA1 Pris
IPB80N03S4L02ATMA1 Tilbud
IPB80N03S4L02ATMA1 Laveste pris
IPB80N03S4L02ATMA1 Søg
IPB80N03S4L02ATMA1 Indkøb
IPB80N03S4L02ATMA1 Chip