IPB80N06S2L06ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Varenummer
IPB80N06S2L06ATMA1
Producent/Mærke
Serie
OptiMOS™
Del status
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverandørenhedspakke
PG-TO263-3-2
Effekttab (maks.)
250W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
55V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 69A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 180µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3800pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 39070 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIPB80N06S2L06ATMA1
IPB80N06S2L06ATMA1 Elektroniske komponenter
IPB80N06S2L06ATMA1 Salg
IPB80N06S2L06ATMA1 Leverandør
IPB80N06S2L06ATMA1 Distributør
IPB80N06S2L06ATMA1 Datatabel
IPB80N06S2L06ATMA1 Fotos
IPB80N06S2L06ATMA1 Pris
IPB80N06S2L06ATMA1 Tilbud
IPB80N06S2L06ATMA1 Laveste pris
IPB80N06S2L06ATMA1 Søg
IPB80N06S2L06ATMA1 Indkøb
IPB80N06S2L06ATMA1 Chip