Køb Infineon Technologies IPC26N12NX1SA1 MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL

Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.

Se mere info DataSheets

IPC26N12NX1SA1

MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL

Varenummer

IPC26N12NX1SA1

Producent/Mærke

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Del status

Active

Emballage

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

Monteringstype

Surface Mount

Pakke/etui

Die

Leverandørenhedspakke

Sawn on foil

Effekttab (maks.)

FET type

N-Channel

FET-funktion

Dræn til kildespænding (Vdss)

120V

Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C

1A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 244µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (maks.)

Anmod om tilbud

Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.

På lager 49070 PCS

Kontakt information

Relaterede produkter

IPC218N04N3X1SA1

MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL

Infineon Technologies

IPC218N04N3X1SA1

MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL

Infineon Technologies

IPC218N04N3X1SA1

MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL

Infineon Technologies

IPC218N04N3X7SA1

MV POWER MOS

Infineon Technologies

IPC218N04N3X7SA1

MV POWER MOS

Infineon Technologies

IPC218N04N3X7SA1

MV POWER MOS

Infineon Technologies

IPC218N06L3X1SA1