Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
IPD200N15N3GATMA1

IPD200N15N3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Varenummer
IPD200N15N3GATMA1
Producent/Mærke
Serie
OptiMOS™
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverandørenhedspakke
PG-TO252-3
Effekttab (maks.)
150W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
150V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1820pF @ 75V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 52751 PCS
Kontakt information
Nøgleord afIPD200N15N3GATMA1
IPD200N15N3GATMA1 Elektroniske komponenter
IPD200N15N3GATMA1 Salg
IPD200N15N3GATMA1 Leverandør
IPD200N15N3GATMA1 Distributør
IPD200N15N3GATMA1 Datatabel
IPD200N15N3GATMA1 Fotos
IPD200N15N3GATMA1 Pris
IPD200N15N3GATMA1 Tilbud
IPD200N15N3GATMA1 Laveste pris
IPD200N15N3GATMA1 Søg
IPD200N15N3GATMA1 Indkøb
IPD200N15N3GATMA1 Chip