IPD800N06NGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
Varenummer
IPD800N06NGBTMA1
Producent/Mærke
Serie
OptiMOS™
Del status
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverandørenhedspakke
PG-TO252-3
Effekttab (maks.)
47W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
60V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 16µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
370pF @ 30V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 37845 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIPD800N06NGBTMA1
IPD800N06NGBTMA1 Elektroniske komponenter
IPD800N06NGBTMA1 Salg
IPD800N06NGBTMA1 Leverandør
IPD800N06NGBTMA1 Distributør
IPD800N06NGBTMA1 Datatabel
IPD800N06NGBTMA1 Fotos
IPD800N06NGBTMA1 Pris
IPD800N06NGBTMA1 Tilbud
IPD800N06NGBTMA1 Laveste pris
IPD800N06NGBTMA1 Søg
IPD800N06NGBTMA1 Indkøb
IPD800N06NGBTMA1 Chip