Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
IPD80R2K8CEBTMA1

IPD80R2K8CEBTMA1

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Varenummer
IPD80R2K8CEBTMA1
Producent/Mærke
Serie
CoolMOS™
Del status
Discontinued at Digi-Key
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverandørenhedspakke
TO-252-3
Effekttab (maks.)
42W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
800V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 120µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 100V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 46566 PCS
Kontakt information
Nøgleord afIPD80R2K8CEBTMA1
IPD80R2K8CEBTMA1 Elektroniske komponenter
IPD80R2K8CEBTMA1 Salg
IPD80R2K8CEBTMA1 Leverandør
IPD80R2K8CEBTMA1 Distributør
IPD80R2K8CEBTMA1 Datatabel
IPD80R2K8CEBTMA1 Fotos
IPD80R2K8CEBTMA1 Pris
IPD80R2K8CEBTMA1 Tilbud
IPD80R2K8CEBTMA1 Laveste pris
IPD80R2K8CEBTMA1 Søg
IPD80R2K8CEBTMA1 Indkøb
IPD80R2K8CEBTMA1 Chip