IPI030N10N3GHKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Varenummer
IPI030N10N3GHKSA1
Producent/Mærke
Serie
OptiMOS™
Del status
Obsolete
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverandørenhedspakke
PG-TO262-3
Effekttab (maks.)
300W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 275µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
206nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14800pF @ 50V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 5987 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIPI030N10N3GHKSA1
IPI030N10N3GHKSA1 Elektroniske komponenter
IPI030N10N3GHKSA1 Salg
IPI030N10N3GHKSA1 Leverandør
IPI030N10N3GHKSA1 Distributør
IPI030N10N3GHKSA1 Datatabel
IPI030N10N3GHKSA1 Fotos
IPI030N10N3GHKSA1 Pris
IPI030N10N3GHKSA1 Tilbud
IPI030N10N3GHKSA1 Laveste pris
IPI030N10N3GHKSA1 Søg
IPI030N10N3GHKSA1 Indkøb
IPI030N10N3GHKSA1 Chip