IPI057N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Varenummer
IPI057N08N3 G
Producent/Mærke
Serie
OptiMOS™
Del status
Obsolete
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverandørenhedspakke
PG-TO262-3
Effekttab (maks.)
150W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
80V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4750pF @ 40V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 22113 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIPI057N08N3 G
IPI057N08N3 G Elektroniske komponenter
IPI057N08N3 G Salg
IPI057N08N3 G Leverandør
IPI057N08N3 G Distributør
IPI057N08N3 G Datatabel
IPI057N08N3 G Fotos
IPI057N08N3 G Pris
IPI057N08N3 G Tilbud
IPI057N08N3 G Laveste pris
IPI057N08N3 G Søg
IPI057N08N3 G Indkøb
IPI057N08N3 G Chip