IPI200N25N3GAKSA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
Varenummer
IPI200N25N3GAKSA1
Producent/Mærke
Serie
OptiMOS™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverandørenhedspakke
PG-TO262-3
Effekttab (maks.)
300W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
250V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7100pF @ 100V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 36238 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIPI200N25N3GAKSA1
IPI200N25N3GAKSA1 Elektroniske komponenter
IPI200N25N3GAKSA1 Salg
IPI200N25N3GAKSA1 Leverandør
IPI200N25N3GAKSA1 Distributør
IPI200N25N3GAKSA1 Datatabel
IPI200N25N3GAKSA1 Fotos
IPI200N25N3GAKSA1 Pris
IPI200N25N3GAKSA1 Tilbud
IPI200N25N3GAKSA1 Laveste pris
IPI200N25N3GAKSA1 Søg
IPI200N25N3GAKSA1 Indkøb
IPI200N25N3GAKSA1 Chip