IRF8113
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
Varenummer
IRF8113
Producent/Mærke
Serie
HEXFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverandørenhedspakke
8-SO
Effekttab (maks.)
2.5W (Ta)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.6 mOhm @ 17.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 4.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2910pF @ 15V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 25631 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIRF8113
IRF8113 Elektroniske komponenter
IRF8113 Salg
IRF8113 Leverandør
IRF8113 Distributør
IRF8113 Datatabel
IRF8113 Fotos
IRF8113 Pris
IRF8113 Tilbud
IRF8113 Laveste pris
IRF8113 Søg
IRF8113 Indkøb
IRF8113 Chip