IXCY01N90E
MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
Varenummer
IXCY01N90E
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Obsolete
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverandørenhedspakke
TO-252
Effekttab (maks.)
40W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
900V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
133pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 8079 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXCY01N90E
IXCY01N90E Elektroniske komponenter
IXCY01N90E Salg
IXCY01N90E Leverandør
IXCY01N90E Distributør
IXCY01N90E Datatabel
IXCY01N90E Fotos
IXCY01N90E Pris
IXCY01N90E Tilbud
IXCY01N90E Laveste pris
IXCY01N90E Søg
IXCY01N90E Indkøb
IXCY01N90E Chip