IXFL30N120P
MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
Varenummer
IXFL30N120P
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
ISOPLUSi5-Pak™
Leverandørenhedspakke
ISOPLUSi5-Pak™
Effekttab (maks.)
357W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1200V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
310nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
19000pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 36841 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFL30N120P
IXFL30N120P Elektroniske komponenter
IXFL30N120P Salg
IXFL30N120P Leverandør
IXFL30N120P Distributør
IXFL30N120P Datatabel
IXFL30N120P Fotos
IXFL30N120P Pris
IXFL30N120P Tilbud
IXFL30N120P Laveste pris
IXFL30N120P Søg
IXFL30N120P Indkøb
IXFL30N120P Chip