IXFN100N10S1
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Varenummer
IXFN100N10S1
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™
Del status
Obsolete
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Chassis Mount
Pakke/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Leverandørenhedspakke
SOT-227B
Effekttab (maks.)
360W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 38272 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFN100N10S1
IXFN100N10S1 Elektroniske komponenter
IXFN100N10S1 Salg
IXFN100N10S1 Leverandør
IXFN100N10S1 Distributør
IXFN100N10S1 Datatabel
IXFN100N10S1 Fotos
IXFN100N10S1 Pris
IXFN100N10S1 Tilbud
IXFN100N10S1 Laveste pris
IXFN100N10S1 Søg
IXFN100N10S1 Indkøb
IXFN100N10S1 Chip