Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
IXFN180N10

IXFN180N10

MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Varenummer
IXFN180N10
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Chassis Mount
Pakke/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Leverandørenhedspakke
SOT-227B
Effekttab (maks.)
600W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
360nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9100pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 8786 PCS
Kontakt information
Nøgleord afIXFN180N10
IXFN180N10 Elektroniske komponenter
IXFN180N10 Salg
IXFN180N10 Leverandør
IXFN180N10 Distributør
IXFN180N10 Datatabel
IXFN180N10 Fotos
IXFN180N10 Pris
IXFN180N10 Tilbud
IXFN180N10 Laveste pris
IXFN180N10 Søg
IXFN180N10 Indkøb
IXFN180N10 Chip