Køb IXYS IXFN82N60Q3 MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.

Se mere info DataSheets

IXFN82N60Q3

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

Varenummer

IXFN82N60Q3

Producent/Mærke

IXYS

Serie

HiPerFET™

Del status

Active

Emballage

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Chassis Mount

Pakke/etui

SOT-227-4, miniBLOC

Leverandørenhedspakke

SOT-227B

Effekttab (maks.)

960W (Tc)

FET type

N-Channel

FET-funktion

Dræn til kildespænding (Vdss)

600V

Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C

66A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75 mOhm @ 41A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

275nC @ 10V

Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

13500pF @ 25V

Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (maks.)

±30V

Anmod om tilbud

Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.

På lager 38722 PCS

Kontakt information

Relaterede produkter

IXFN100N10S1