Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
IXFN82N60Q3

IXFN82N60Q3

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
Varenummer
IXFN82N60Q3
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Chassis Mount
Pakke/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Leverandørenhedspakke
SOT-227B
Effekttab (maks.)
960W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
600V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
275nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13500pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 38722 PCS
Kontakt information
Nøgleord afIXFN82N60Q3
IXFN82N60Q3 Elektroniske komponenter
IXFN82N60Q3 Salg
IXFN82N60Q3 Leverandør
IXFN82N60Q3 Distributør
IXFN82N60Q3 Datatabel
IXFN82N60Q3 Fotos
IXFN82N60Q3 Pris
IXFN82N60Q3 Tilbud
IXFN82N60Q3 Laveste pris
IXFN82N60Q3 Søg
IXFN82N60Q3 Indkøb
IXFN82N60Q3 Chip