IXFP10N60P
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Varenummer
IXFP10N60P
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3
Leverandørenhedspakke
TO-220AB
Effekttab (maks.)
200W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
600V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
740 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1610pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 17811 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFP10N60P
IXFP10N60P Elektroniske komponenter
IXFP10N60P Salg
IXFP10N60P Leverandør
IXFP10N60P Distributør
IXFP10N60P Datatabel
IXFP10N60P Fotos
IXFP10N60P Pris
IXFP10N60P Tilbud
IXFP10N60P Laveste pris
IXFP10N60P Søg
IXFP10N60P Indkøb
IXFP10N60P Chip