IXFP180N10T2
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
Varenummer
IXFP180N10T2
Producent/Mærke
Serie
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3
Leverandørenhedspakke
TO-220AB
Effekttab (maks.)
480W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
185nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10500pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 16202 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFP180N10T2
IXFP180N10T2 Elektroniske komponenter
IXFP180N10T2 Salg
IXFP180N10T2 Leverandør
IXFP180N10T2 Distributør
IXFP180N10T2 Datatabel
IXFP180N10T2 Fotos
IXFP180N10T2 Pris
IXFP180N10T2 Tilbud
IXFP180N10T2 Laveste pris
IXFP180N10T2 Søg
IXFP180N10T2 Indkøb
IXFP180N10T2 Chip