IXFP4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
Varenummer
IXFP4N100Q
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3
Leverandørenhedspakke
TO-220AB
Effekttab (maks.)
150W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1000V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 11541 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFP4N100Q
IXFP4N100Q Elektroniske komponenter
IXFP4N100Q Salg
IXFP4N100Q Leverandør
IXFP4N100Q Distributør
IXFP4N100Q Datatabel
IXFP4N100Q Fotos
IXFP4N100Q Pris
IXFP4N100Q Tilbud
IXFP4N100Q Laveste pris
IXFP4N100Q Søg
IXFP4N100Q Indkøb
IXFP4N100Q Chip