IXFP5N100P
MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220
Varenummer
IXFP5N100P
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3
Leverandørenhedspakke
TO-220AB
Effekttab (maks.)
250W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1000V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33.4nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1830pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 26129 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFP5N100P
IXFP5N100P Elektroniske komponenter
IXFP5N100P Salg
IXFP5N100P Leverandør
IXFP5N100P Distributør
IXFP5N100P Datatabel
IXFP5N100P Fotos
IXFP5N100P Pris
IXFP5N100P Tilbud
IXFP5N100P Laveste pris
IXFP5N100P Søg
IXFP5N100P Indkøb
IXFP5N100P Chip