IXFQ10N80P
MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
Varenummer
IXFQ10N80P
Producent/Mærke
Serie
HiPerFET™, PolarHT™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-3P-3, SC-65-3
Leverandørenhedspakke
TO-3P
Effekttab (maks.)
300W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
800V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2050pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 30173 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFQ10N80P
IXFQ10N80P Elektroniske komponenter
IXFQ10N80P Salg
IXFQ10N80P Leverandør
IXFQ10N80P Distributør
IXFQ10N80P Datatabel
IXFQ10N80P Fotos
IXFQ10N80P Pris
IXFQ10N80P Tilbud
IXFQ10N80P Laveste pris
IXFQ10N80P Søg
IXFQ10N80P Indkøb
IXFQ10N80P Chip